根據(jù)掉電后數(shù)據(jù)是否會(huì)丟失的標(biāo)準(zhǔn)，可以將嵌入式存儲(chǔ)器分為兩大類，一種是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，另一種是非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。揮發(fā)性存儲(chǔ)器是指掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要包括高速度、低功耗的SRAM和高密度的DRAM。而非揮發(fā)性存儲(chǔ)器則剛好相反，其在實(shí)際應(yīng)用中主要包含eFlash、EEPROM以及eRRAM、eMRAM、ePRAM等次世代存儲(chǔ)器。

揮發(fā)性存儲(chǔ)器和非揮發(fā)性存儲(chǔ)器都是存儲(chǔ)器，但二者仍是有不同之處。嵌入式存儲(chǔ)器和分立式存儲(chǔ)器最大的不同之處在于嵌入式存儲(chǔ)器往往跟應(yīng)用IC自身的工藝特性條件有很大關(guān)系，例如用90nm和用45nm工藝做出來(lái)的芯片，其內(nèi)部嵌入式存儲(chǔ)器大小差別也是很大的。而分立式存儲(chǔ)器件則主要針對(duì)存儲(chǔ)器器件工藝進(jìn)行優(yōu)化。

隨著信息技術(shù)的高速發(fā)展，嵌入式存儲(chǔ)器在SOC中的面積所占比重也在逐年增加，從圖一可以看出，從1999年平均的20%上升到2007年的60-70%乃至2014年的90%的面積。這表明嵌入式存儲(chǔ)器對(duì)于芯片系統(tǒng)性能的影響越來(lái)越大。

                                                   

                                                                              嵌入式存儲(chǔ)器在SOC中所占芯片面積的比重

本文關(guān)鍵詞：嵌入式存儲(chǔ)器   SRAM

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