NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)，即非易失性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ,是指斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)的一種RAM。NVRAM的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度介于易失性存儲(chǔ)器和常規(guī)硬盤之間。和易失性存儲(chǔ)器相比，非易失性存儲(chǔ)器一經(jīng)寫入數(shù)據(jù)，就不需要外界電力來(lái)維持其記憶。NVRAM主要有兩種，分別是多層式存儲(chǔ)（MLC, Multi Level Cell）及單層式存儲(chǔ)（SLC, Single Level Cell）。兩者讀取速度差異不大，使用MLC顆粒的固態(tài)硬盤成本較使用SLC的低，但是寫入速度較低、使用壽命也較短。閃存是最常見的非易失性存儲(chǔ)器。小容量的閃存可被制作成帶有USB接口的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備，亦即人們常說(shuō)的“閃存盤”、“優(yōu)盤”。隨著生產(chǎn)成本的下降，將多個(gè)大容量閃存模塊集成在一起，制成以閃存為存儲(chǔ)介質(zhì)的固態(tài)硬盤已成為可能。
隨著移動(dòng)設(shè)備、便攜式設(shè)備和無(wú)線設(shè)備的迅猛發(fā)展，NVRAM也遇到了前所未有的好時(shí)機(jī)，并迅速走俏市場(chǎng)。日前，在多種NVRAM中，以閃存（Flash Memory）技術(shù)最為引人注目，并占據(jù)著NVRAM市場(chǎng)的霸主地位。盡管現(xiàn)在不同于閃存技術(shù)的其他NVRAM技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)，并逐漸被一些廠商重視并看好，但在近幾年內(nèi)，閃存仍將以其強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)稱霸NVRAM應(yīng)用市場(chǎng)。移動(dòng)市場(chǎng)和無(wú)線市場(chǎng)的強(qiáng)大需求為NVRAM帶來(lái)了市場(chǎng)機(jī)會(huì)，同時(shí)也對(duì)NVRAM提出了更高的要求，更快的速度、更大的容量、更高的整合度以及更低的能耗