作為克服現(xiàn)有基于NAND閃存的SSD的解決方案，Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通過(guò)提供高速非易失性存儲(chǔ)來(lái)提高SSD的系統(tǒng)性能和可靠性。機(jī)上數(shù)據(jù)。通過(guò)添加STT-MRAM來(lái)補(bǔ)充或替換SSD控制器的DDR總線(xiàn)上的易失性DRAM（圖1），SSD控制器現(xiàn)在可以將該高速非易失性存儲(chǔ)器用于寫(xiě)緩沖區(qū)和之前運(yùn)行的任何其他關(guān)鍵數(shù)據(jù)易揮發(fā)的。
 
對(duì)于企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)，電源管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)很重要。系統(tǒng)必須檢測(cè)電源故障，將驅(qū)動(dòng)器與主機(jī)隔離，并用足夠的能量存儲(chǔ)來(lái)支撐驅(qū)動(dòng)器，以允許將任何運(yùn)行中的數(shù)據(jù)提交到非易失性存儲(chǔ)器中，以確保數(shù)據(jù)完整性。完成此操作所需的保持能量與飛行中的數(shù)據(jù)量，非易失性存儲(chǔ)器的速度和系統(tǒng)的功耗成正比。可以將這種保持能量存儲(chǔ)提供的時(shí)間量視為電源故障窗口或在耗盡保持能量之前可用于存儲(chǔ)不受保護(hù)的數(shù)據(jù)的時(shí)間。
 
為了支持由不同等級(jí)的不同內(nèi)存類(lèi)型組成的異構(gòu)DDR架構(gòu)，理想情況下，SSD控制器中包含的DDR控制器需要支持處理STT-MRAM的不同時(shí)序和尋址要求，以實(shí)現(xiàn)最佳性能。 SSD控制器還必須采用其他邏輯來(lái)正確管理DDR控制器緩沖區(qū)中正在傳輸?shù)纳倭砍ｑv數(shù)據(jù)，以確保在斷電之前將管線(xiàn)刷新到STT-MRAM并關(guān)閉STT-MRAM中的所有打開(kāi)頁(yè)面。Everspin代理英尚微電子提供不同容量大小的MRAM芯片

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