Everspin希望其產(chǎn)品能夠找到用固態(tài)硬盤(pán)和閃存陣列替代DRAM作為非易失性緩沖區(qū)和寫(xiě)入緩存的插座。這些卡將使用特殊的Windows和Linux驅(qū)動(dòng)程序提供高達(dá)700萬(wàn)次I / O操作/秒和2微秒的延遲Everspin將以開(kāi)源形式發(fā)布。

 

至少有一家公司將為Everspin的卡片提供第二個(gè)來(lái)源。該公司表示，該芯片有一位試用客戶，希望能在一年內(nèi)投入生產(chǎn)。

 

英特爾成為第一個(gè)在主流存儲(chǔ)市場(chǎng)推出新內(nèi)存芯片的公司，其3DXP現(xiàn)在正在SSD中出貨。西部數(shù)據(jù)在2020年之前承諾了阻性RAM，而Everspin去年年底在Spin Transfer Technologies獲得了MRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，Spin Transfer Technologies表示將在明年推出Gbit級(jí)產(chǎn)品。

 

“未來(lái)，所有的記憶將會(huì)持續(xù) - 從現(xiàn)在開(kāi)始或早些時(shí)候可能會(huì)有5-7年的時(shí)間，但是這是一個(gè)期望，一切都是現(xiàn)場(chǎng)和備份的，并且具有最高容量的最高性能的記憶將贏得，”帕特里克帕拉，Everspin營(yíng)銷高級(jí)副總裁。

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