在芯片封裝領(lǐng)域，有AMD的3DV-Cache技術(shù)，雖然臺(tái)積電的代工短期內(nèi)還存在問題，但推出已指日可待。在內(nèi)存領(lǐng)域，同樣也有3DDRAM技術(shù)的研發(fā)，三星就在這一方面加快了研發(fā)進(jìn)度，預(yù)計(jì)在2025年推出。
 
三星電子正在加速3D DRAM的研發(fā)，在積極擴(kuò)充人才隊(duì)伍的同時(shí)還向該項(xiàng)目傾斜了更多的資源。以往的DRAM是通過晶體管和電容器排在一個(gè)平面上生產(chǎn)的。隨著20世紀(jì)80年代末DRAM容量超過4兆，提高DRAM的密度變得困難，使得重新排列電路和電容成為必然。
 
日本的東芝和NEC以及美國的IBM更傾向于溝槽法，而三星電子則選擇堆疊法。當(dāng)時(shí)三星電子采用堆疊法是因?yàn)檫@是一種更容易制造DRAM和檢查生產(chǎn)過程中問題的方法。因此三星電子可以建立一個(gè)半導(dǎo)體帝國，并在大約30年的時(shí)間里一直保持其在DRAM市場(chǎng)上的第一地位。
 
在堆疊法推廣之后，芯片制造商通過縮小單元尺寸或間距來提高DRAM的性能。然而在有限的空間內(nèi)增加單元的數(shù)量，遇到了一個(gè)物理限制。另一個(gè)問題是，如果電容器變得越來越薄，它們可能會(huì)坍塌。3D DRAM的概念就是在這種背景下提出的。目前的DRAM可以被稱為2D DRAM。
 
三星電子已經(jīng)開始開發(fā)一種層疊單元的技術(shù)。這是與高帶寬內(nèi)存（HBM）不同的概念，后者是通過將多個(gè)模具堆疊在一起產(chǎn)生的。此外，三星電子還在考慮增加DRAM晶體管的柵極（電流門）和通道（電流路徑）之間的接觸面。這意味著三面接觸的FinFet技術(shù)和四面接觸的Gate-all-around（GAA）技術(shù)可以用于DRAM生產(chǎn)。當(dāng)柵極和通道之間的接觸面增加時(shí)，晶體管可以更精確地控制電流的流動(dòng)。
 
美光科技和SK海力士也在考慮開發(fā)3D DRAM。美光提交了一份與三星電子不同的3D DRAM的專利申請(qǐng)。美光公司的方法是在不鋪設(shè)單元的情況下改變晶體管和電容器的形狀。應(yīng)用材料公司和LamResearch等全球半導(dǎo)體設(shè)備制造商也開始開發(fā)與3DDRAM有關(guān)的解決方案。
 
由于開發(fā)新材料的困難和物理限制，3DDRAM的商業(yè)化還需要一些時(shí)間。業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，3DDRAM將在2025年左右開始問世。

本文關(guān)鍵詞：3D DRAM,DRAM

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