FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
   
富士通FRAM主要具備三大優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。比如FRAM寫入次數(shù)壽命高達10萬億次，而EEPROM僅有百萬次(10^6)。富士通FRAM寫入數(shù)據(jù)可在150ns內完成，速度約為EEPROM的1/30,000。寫入一個字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ，約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有巨大的優(yōu)勢。富士通代理英尚微電子支持提供樣品及產品技術支持等服務。
 
經過市場的長期廣泛驗證以及技術的不斷突破，富士通FRAM產品已成功應用于諸多行業(yè)領域。近些年來，隨著IoT以及汽車電氣化等趨勢不斷涌現(xiàn)，富士通進一步推出更低功耗、或者車規(guī)級的FRAM產品，適應物聯(lián)網設備、汽車電子等行業(yè)發(fā)展，為客戶提供高質量、高可靠性的解決方案。
 
在汽車電子領域的BMS應用，采用富士通型號MB85RS256TY和MB85RS128TYFRAM產品用于其自主研發(fā)BMS系統(tǒng)中。同時，業(yè)界知名的一家意大利FI輪胎制造廠商亦采用富士通FRAM產品用于胎壓監(jiān)測。憑借高耐久性、高速寫入、高可靠性的特性，與通過車規(guī)級認證的產品優(yōu)勢，富士通FRAM成為賦能關鍵型汽車應用的外掛存儲器首選。
 
除了車規(guī)級鐵電存儲器FRAM產品賦能汽車電子應用外，富士通FRAM具備高燒寫耐久性以及低功耗等特性，適用于系統(tǒng)網關(Gateway)中記錄與存儲重要的數(shù)據(jù)。高可靠性FRAM更是適用于高端醫(yī)療領域的為數(shù)不多的電子產品之一。目前富士通鐵電存儲器FRAM已成功應用在CT掃描機、監(jiān)護儀、自動CPAP(連續(xù)正氣道壓力)設備、助聽器、醫(yī)療電子標簽等產品中，提高醫(yī)療行業(yè)的生產效率。


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