MRAM是一種基于所有磁性記錄物理原理的技術(shù)，截至目前，Everspin公司是該技術(shù)的行業(yè)翹楚。
 
    MRAM的種類非常豐富，但它們的結(jié)構(gòu)都非常相似，都使用鈷和鎂層作為巨磁阻（GMR）傳感器和磁開關(guān)元件的組合，它們也被大量用于硬盤讀/寫磁頭，其主要優(yōu)勢在于速度，不少人設(shè)想過MRAM將來能夠取代高速SRAM。
 
    MRAM已經(jīng)分為多種類型和路線：STT-MRAM有效地解決了SRAM存儲器在不活動時“泄漏”能量的問題；SOT-MRAM顯著提高了器件的耐用性和讀取穩(wěn)定性，消除了STT-MRAM器件中固有的開關(guān)延遲；VCMA-MRAM進(jìn)一步降低了STT-MRAM的功耗，但寫入速度相對較慢；VG-SOT則綜合了前兩者的優(yōu)點，但制造工序較為復(fù)雜，功能有待驗證；(VG-)SOTMRAM在模擬內(nèi)存計算方面具備更大潛力……
 
    多年來，不同類型的MRAM存儲器件不斷涌現(xiàn)，在寫入速度、可靠性、功耗和面積消耗之間進(jìn)行權(quán)衡，根據(jù)具體特性有完全不同的應(yīng)用，例如用于嵌入式閃存和末級緩存的STT-MRAM、用于較低級緩存的SOT-MRAM、用于超低功耗應(yīng)用的VCMA-MRAM，最后是VG-MRAM，VG-SOTMRAM作為終極統(tǒng)一高速緩存，還具有內(nèi)存計算的優(yōu)勢。
 
    在MRAM中，數(shù)據(jù)通常存儲在磁性可以改變的"自由"層中，并與生產(chǎn)時設(shè)置的"固定"層進(jìn)行比較，而GMR傳感器負(fù)責(zé)檢測兩者之間的差異。大多數(shù)MRAM變體的最大區(qū)別在于數(shù)據(jù)的寫入方式。所有MRAM的每個位單元都至少使用一個晶體管，而許多MRAM則使用兩個晶體管，且電流相當(dāng)大，這也讓該技術(shù)的生產(chǎn)成本效益低于其他技術(shù)。
 
    MRAM具有SRAM兼容的讀/寫周期，因此特別適合于那些必須以最小延遲存儲和檢索數(shù)據(jù)的應(yīng)用程序，它成功把低延遲、低功耗、無限持久性、可伸縮性和非易變性結(jié)合到了一起。


本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,S3A1004

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