MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。MRAM是汽車應(yīng)用的理想選擇存儲芯片,MRAM具有快速且不易失的特點。實時監(jiān)控的傳感器數(shù)據(jù)可以實時寫入，而不需要負(fù)載均衡或ECC開銷。AEC-Q100 1級合格的MRAM將在發(fā)動機(jī)罩下應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)的延長溫度（-40℃至125℃）下保留數(shù)據(jù)20年。意外斷電不會影響數(shù)據(jù)完整性。
 
例如Everspin MR2A16A 4Mbit的MRAM存儲芯片，MR2A16A提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，具有無限的續(xù)航能力。數(shù)據(jù)在超過20年的時間內(nèi)始終是非易失性的。通過低電壓抑制電路在斷電時自動保護(hù)數(shù)據(jù)，以防止電壓超出規(guī)格時寫入。
 
Everspin的MRAM技術(shù)在極端溫度范圍內(nèi)非常穩(wěn)健可靠，非常適合汽車市場對內(nèi)存產(chǎn)品的要求。Everspin致力于汽車市場，提供一系列符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。涵蓋了該市場要求的各個方面。Everspin代理英尚微電子支持提供樣品測試及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案。


本文關(guān)鍵詞：MR2A16A,MRAM

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