FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
 
富士通的FRAM（鐵電隨機存取存儲器）被用作電弧事件發(fā)生器和調(diào)查衛(wèi)星（AEGIS）的關鍵存儲器，HORYU-IV搭載的FRAM利用其寫入速度快、讀寫周期長、低功耗、高可靠性等優(yōu)異的電子特性，用于記錄觀測數(shù)據(jù)。富士通在FRAM應用于IC卡、電表和機器人機床方面有著多年的豐富經(jīng)驗。這一次，展示了太空任務作為衛(wèi)星組件的新應用。
 
富士通FRAM其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲器，功耗更低，并為多次讀寫操作提供更高的速度和耐用性。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質(zhì)用于各種應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。
 
獨立FRAM提供了將FRAM同化到任何需要高速非易失性存儲器的系統(tǒng)的靈活性。FRAM不需要電池來備份其數(shù)據(jù)，從而在整個系統(tǒng)中節(jié)省了大量成本和電路板空間。它可以用于存儲設備的設置、配置、狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)可以在以后使用。這些存儲的數(shù)據(jù)可用于重置設備、分析上次狀態(tài)和激活恢復操作。逐字節(jié)隨機訪問使內(nèi)存管理更有效。
 
FRAM只是一種像RAM一樣運行的高速非易失性存儲器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲器映射。它為最終用戶創(chuàng)造了在底層對FRAM進行編程以根據(jù)他們的個人喜好進行定制的機會。獨立的FRAM允許設計人員發(fā)揮創(chuàng)造力，在廣泛的設計中探索和使用FRAM。

本文關鍵詞： 富士通 FRAM

相關文章：鐵電存儲器FRAM與其他內(nèi)存的比較

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。