ISSI IS61WV51216EEBLL是高速和低功耗、8M位SRAM。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。
 
這種高度可靠的工藝與包括ECC（SEC-DED：?jiǎn)渭m錯(cuò)-雙糾錯(cuò)）在內(nèi)的創(chuàng)新電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，可產(chǎn)生高性能和高度可靠的設(shè)備。通過(guò)使用芯片使能和輸出使能輸入提供輕松的內(nèi)存擴(kuò)展。有效的低寫入使能(WE#)控制存儲(chǔ)器的寫入和讀取。采用標(biāo)準(zhǔn)44引腳TSOP(TYPEII)封裝。EMI國(guó)產(chǎn)SRAM廠家EMI508NL08VM-55IT可替換IS61WV51216EEBLL-10B2I。
 
8Mbit國(guó)產(chǎn)低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT采用EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬1MX8bit,電源電壓為2.7V~3.6V，支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的用戶靈活性。該系列還支持低數(shù)據(jù)保留電壓1.5V(Min.)，用于以低數(shù)據(jù)保留電流進(jìn)行電池備份操作。采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2封裝形式。
 
特征
●工藝技術(shù)：90nmFullCMOS
●組織：1MX8bit
●電源電壓：2.7V~3.6V
●低數(shù)據(jù)保持電壓：1.5V(Min.)
●三態(tài)輸出，TTL兼容
●數(shù)據(jù)字節(jié)控制（x8模式）。
●標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2，48FBGA封裝。
●工業(yè)工作溫度。
 
本文關(guān)鍵詞：EMI508NL08VM-55IT

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