中國每年進(jìn)口的芯片中有25%是存儲芯片，產(chǎn)業(yè)需求存在巨大缺口。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（大基金）總經(jīng)理丁文武表示，大基金今年的重點(diǎn)之一就是扶助存儲器發(fā)展。存儲器現(xiàn)在已經(jīng)成為中國集成電路產(chǎn)業(yè)的投資新寵。據(jù)了解，江蘇淮安德科瑪圖像傳感器IDM項(xiàng)目、武漢新芯存儲器基地項(xiàng)目、重慶AOS（alpha&omega)的12寸MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）功率半導(dǎo)體項(xiàng)目都將于3月份正式啟動(dòng)，而紫光集團(tuán)在存儲上的“野心”更是有目共睹。
·3月24日紫光已制定一項(xiàng)規(guī)模為300億美元的投資計(jì)劃；
·3月27日德科瑪圖像傳感器IDM在江蘇淮安啟動(dòng)；
·3月28日武漢新芯二期存儲器項(xiàng)目啟動(dòng)；
·3月30日美國AOS重慶12英寸MOSFET功率半導(dǎo)體項(xiàng)目啟動(dòng)。
      武漢存儲器基地坐落于武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，項(xiàng)目啟動(dòng)儀式將于28日舉行。該基地由大基金、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資建設(shè)，項(xiàng)目總投資將高達(dá)240億美元；目前策劃方案顯示，產(chǎn)品方向?yàn)?D NAND，項(xiàng)目的關(guān)鍵實(shí)施方是武漢新芯。
      美國AOS公司12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封測基地項(xiàng)目設(shè)立在重慶水土園區(qū)，總投資7億美元。美國AOS半導(dǎo)體股份有限公司，于2000年在美國加州成立總部，其卓越且完整的功率型金屬氧化層場效晶體管(Power MOSFET)，提供所有信息科技產(chǎn)業(yè)制造者生產(chǎn)更加質(zhì)量、更具優(yōu)勢成本與效率之產(chǎn)品。去年9月，重慶市市長黃奇帆會(huì)見了來訪的美國AOS公司董事長張復(fù)興。
      去年12月，德科瑪半導(dǎo)體與南京市政府簽署協(xié)議總投資25億美元共建“CMOS圖像傳感器芯片（CIS）產(chǎn)業(yè)園”。香港德科瑪科技有限公司成立于2003年，公司專注于人工智能軟件開發(fā)，光學(xué)CMOS人工智能辨識裝置儀器（指紋識別）的研究開發(fā)。
      基于人工智能的MCU（微控制器）物聯(lián)網(wǎng)、磁存儲、MEMS（傳感器）等領(lǐng)域，中國有望在“超越摩爾”領(lǐng)域出奇制勝，趕上甚至超越世界先進(jìn)水平。中國擁有成熟的8吋半導(dǎo)體生產(chǎn)線和技術(shù)，如華虹宏力、中芯國際、上海先進(jìn)的半導(dǎo)體晶圓廠；此外，上海微技術(shù)工業(yè)研究院早已積極布局組建“超越摩爾”8吋研發(fā)中試線和世界級產(chǎn)品研發(fā)團(tuán)隊(duì)。