MB85RQ4ML是一種FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，采用524,288字×8位的配置，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲單元。采用四路串行外設(shè)接口（QSPI），可使用四個雙向引腳（四路I/O）實現(xiàn)高帶寬，例如以54MB/s的速度進(jìn)行讀寫。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。
 
MB85RQ4ML中使用的存儲單元可用于10¹³個讀/寫操作，與Flash存儲器和E²PROM支持的讀和寫操作數(shù)量相比，有了顯著改進(jìn)。MB85RQ4ML不需要很長時間就可以寫入閃存或E²PROM之類的數(shù)據(jù)。能夠在沒有任何等待時間的情況下以高帶寬寫入數(shù)據(jù)，并且非常適合網(wǎng)絡(luò)，游戲，工業(yè)計算，相機，RAID控制器等。富士通代理英尚微電子支持提供樣品及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等技術(shù)服務(wù)。
 
■特點
•位配置：524,288字×8位
•串行外圍設(shè)備接口：SPI（串行外圍設(shè)備接口）/四路SPI對應(yīng)于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
•寫支持：單數(shù)據(jù)輸入/四數(shù)據(jù)輸入/四地址和數(shù)據(jù)輸入/QPI模式
•讀取支持：單數(shù)據(jù)輸出/快速單數(shù)據(jù)輸出/快速四數(shù)據(jù)輸出/快速四地址輸入和數(shù)據(jù)輸出/QPI模式/XIP模式
•工作頻率：108MHz（正常的READ命令除外）
•高耐用性：每字節(jié)1013次讀/寫
•數(shù)據(jù)保留：10年（+85°C），95年（+55°C），超過200年（+35°C）
•工作電源電壓：1.7V至1.95V（單電源）
•功耗：工作電源電流20.0mA（典型值@四I/O，108MHz）待機電流70μA（典型值），400μA（最大）
•工作環(huán)境溫度范圍：-40°C至+85°C
•封裝：16針?biāo)芰蟂OP（FPT-16P-M24）

 
■串行外圍接口（SPI）
•SPI
MB85RQ4ML作為SPI的從設(shè)備。SPI使用SI串行輸入引腳在SCK的上升沿將操作碼，地址或數(shù)據(jù)寫入器件。SO串行輸出引腳用于在SCK的下降沿從器件讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)寄存器。
 
•Quad SPI
MB85RQ4ML作為Quad SPI的從設(shè)備。MB85RQ4ML支持使用“FRQO”，“FRQAD”，“WQD”和“WQAD”命令的Quad SPI模式，使用“EQPI”和“DQPI”命令的QPI模式以及XIP模式。當(dāng)使用Quad SPI模式指令時，SI，SO，WP和HOLD引腳變?yōu)殡p向IO0，IO1，IO2和IO3引腳。

本文關(guān)鍵詞： FRAM

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