富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
 
MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）芯片，由262,144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的存儲單元可用于1010個(gè)讀/寫操作，與Flash存儲器和E2PROM支持的讀和寫操作數(shù)量相比，有了顯著改進(jìn)。MB85R4002A使用與常規(guī)異步SRAM兼容的偽SRAM接口。
 
引腳封裝
   
特點(diǎn)
•位配置：262,144字×16位
•LB和UB數(shù)據(jù)字節(jié)控制
•讀寫續(xù)航力：1010次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C）
•工作電源電壓：3.0 V至3.6 V
•低功耗運(yùn)行：工作電源電流15 mA（典型值），待機(jī)電流50μA（典型值）
•工作環(huán)境溫度范圍：−40°C至+ 85°C
•封裝：48引腳塑料TSOP（FPT-48P-M48）
符合RoHS
 
非易失性存儲器FRAM，無需保持?jǐn)?shù)據(jù)的電池，所以保持?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)不產(chǎn)生能耗。而且，寫入時(shí)間較通用EEPROM及閃存要短，具有寫入能耗低的優(yōu)點(diǎn)。富士通FRAM代理英尚微電子為用戶提供應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。


本文關(guān)鍵詞： FRAM

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