近期，Rambus宣布在其實(shí)驗(yàn)室中開發(fā)出DDR5的可用芯片——DDR5是動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)的下一代重要接口。預(yù)計從2019年開始，暫存頻率驅(qū)動器與數(shù)據(jù)緩沖器可望有助于為服務(wù)器倍增主存儲器的傳輸速率，而且也引發(fā)了對于未來運(yùn)算的爭論。

美國聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)組織計劃在明年6月之前宣布以DDR5規(guī)格作為下一代服務(wù)器的默認(rèn)內(nèi)存接口。然而，有些分析師指出，DDR5出現(xiàn)的時機(jī)，將會在持久型內(nèi)存(即儲存級內(nèi)存)、新式計算機(jī)架構(gòu)與芯片堆棧等均陸續(xù)更新替代方案之際。

Rambus產(chǎn)品營銷副總裁Hemant Dhulla表示：“據(jù)我們所知，這是至今第一個在實(shí)驗(yàn)室中開發(fā)出實(shí)際可行的DDR5 DIMM芯片組，預(yù)計可在2019年量產(chǎn)。我們希望率先使其上市，并協(xié)助我們的合作伙伴推出該技術(shù)。”

DDR5預(yù)計可支持高達(dá)6.4Gbits/s的資料率，傳輸帶寬最高達(dá)51.2 GBytes/s，分別較目前的DDR4支持的3.2Gbits數(shù)據(jù)率與25.6GBytes/s傳輸帶寬提高一倍。升級后的新版本將使64位鏈路的運(yùn)作壓從1.2V降低至1.1V，并使突發(fā)周期(BL)從8位進(jìn)展至16位。此外，DDR5可還讓電壓穩(wěn)壓器安裝于該記憶卡，而不必再加進(jìn)主板中。

 

 

 

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