嵌入式存儲STT-MRAM取代NOR Flash勢在必行
2017-09-29 14:32:02
據(jù)國外媒體報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)打算在2017年下半年開始供應嵌入式存儲器ST-MRAM或STT-MRAM，用來代替NOR Flash，這說明存儲器市場會發(fā)生巨大的轉(zhuǎn)變，因為到目前為止，只有Everspin在為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write Cache)等。全球主要晶圓代工廠都打算在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，有望可以轉(zhuǎn)變下一代儲存技術狀態(tài)。
STT-MRAM的下一好時機就是嵌入式存儲器IP市場，NOR Flash是傳統(tǒng)嵌入式存儲器，隨著制程從40nm進展到28nm，NOR Flash開始呈現(xiàn)很多的問題，于是，這些代工廠的支持可以將STT-MRAM轉(zhuǎn)化為先進節(jié)點的替代技術。
正如GlobalFoundries嵌入式存儲器副總裁Dave Eggleston所說，嵌入式快閃存儲器將一直是資料保存技術主流，尤其是汽車和安全應用領域，嵌入式快閃存儲器將會非常長的使用壽命，但是沒有擴展空間，當達到28nm制程以上時，其實嵌入式快閃存儲器會成為非常昂貴的選擇。
STT-MRAM剛好為2xnm及以上的嵌入式存儲器應用奠定了基礎。先作為補充技術，逐步替代嵌入式DRAM和SRAM，也是MRAM的巨大機會，將為處理器添加持久性功能。
STT-MRAM是新技術，客戶也許需要耗費點時間進行整合，各種制造上的困難也必須處理, 不是全部晶圓代工客戶都需要22nm以上的芯片。 MRAM應該會因為幾個因素，成為一個大市場或利基解決方案，包括多個供應商和一系列的應用推動STT-MRAM發(fā)展，此外，主要代工廠投入STT-MRAM也可能會推動規(guī)模經(jīng)濟化，降低技術成本。4大代工廠都決定為嵌入式客戶投入開發(fā)作業(yè)，三星有自己的IP，其他代工廠正在與各種合作伙伴合作。美光(Micron)、英特爾(Intel)和東芝與SK海力士都投入MRAM研發(fā)，同時，幾家新創(chuàng)公司如Crocus、Avalanche、Spin Transfer Technologies都正在開發(fā)。對大多數(shù)企業(yè)而言，生產(chǎn)MRAM說起來比做容易，因為MRAM涉及集成方案和設備，開發(fā)新材料、與傳統(tǒng)存儲器相比，生產(chǎn)流程也不同。
深圳市英尚微電子有限公司，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
了解更多關于存儲芯片知識，請關注英尚微電子：http://www.yjgzs.cn
