3D堆疊內存芯片SRAM與DRAM封裝技術的特性
2025-10-10 09:47:14
SRAM靜態(tài)隨機存取存儲器通常直接集成在計算芯片內部，以實現高速數據訪問，但其容量往往受限。近年來，通過3D堆疊技術的引入，SRAM在保持高集成度的同時實現了容量的有效提升。動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）則在封裝形式上具有更豐富的方案。從歷史發(fā)展來看，DRAM普遍采用雙列直插內存模塊（DIMMs）進行封裝，該形式支持模塊化擴展，為用戶提供了靈活的配置選擇。
如今，
DRAM封裝技術更加注重低功耗和高帶寬的性能需求。例如，低功耗雙倍數據速率內存（LPDDR）在保持相對較低功耗的同時，實現了較高的傳輸速率——其每引腳帶寬可達10 Gbps，顯著高于傳統(tǒng)DDR內存的5.6 Gbps。然而，LPDDR通常需直接焊接到主板上，因此在獲得性能與能效提升的同時，犧牲了類似DDR DIMMs的可插拔與可重構能力。
高帶寬內存（HBM）則通過多個存儲裸片的3D堆疊和硅中介層（Interposer）互連，進一步提升了帶寬性能。但其制造工藝復雜，對技術的要求極高，導致生產良率偏低。因此，HBM的成本遠高于DDR DRAM，同時受制于物理和工藝限制，其單封裝容量仍難以實現太字節(jié)（TB）級別，使得超大容量片上內存配置在目前仍不具可行性。
這些封裝技術的創(chuàng)新為不同應用場景提供了多樣的性能與成本權衡選擇。而在片上內存方面，增益單元嵌入式DRAM（GC-eDRAM）結合了DRAM的高密度特性與SRAM的易于集成優(yōu)勢，僅需在數據保留時間方面作出一定妥協，為高集成度與帶寬需求的嵌入式系統(tǒng)提供了一種有潛力的解決方案。
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本文關鍵詞：SRAM,DRAM
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