JSC濟(jì)州半導(dǎo)體是全球最大的移動(dòng)應(yīng)用解決方案提供商之一的SRAM由于濟(jì)州半導(dǎo)體出道到SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和4M SRAM的2001市場(chǎng)，濟(jì)州半導(dǎo)體持續(xù)實(shí)施全系列低功耗SRAM產(chǎn)品通過1M、2M、4M至8M SRAM。濟(jì)州半導(dǎo)體的SRAM是建立在強(qiáng)大的6晶體管存儲(chǔ)單元的技術(shù)，可以在非常低的功耗的快速存取時(shí)間。濟(jì)州半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品已被公認(rèn)為最強(qiáng)大的低功耗存儲(chǔ)解決方案，可以穩(wěn)定地運(yùn)行任何嚴(yán)謹(jǐn)?shù)沫h(huán)境下可以通過移動(dòng)手機(jī)。濟(jì)州半導(dǎo)體是由世界領(lǐng)先的手機(jī)制造商公認(rèn)的一個(gè)最可靠的SRAM制造商。除了手機(jī)應(yīng)用，濟(jì)州半導(dǎo)體SRAM SRAM提供產(chǎn)品應(yīng)用在全世界。 | Density | Data width | Part number | Voltage | Option | Max Frequancy | Package Type | PDF下載 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1Gbit | x32 | JSD1G324PAJ-50x | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 90B (8x13x1.0mm) | 暫無 |
| 1Gbit | x16 | JSD1G164PAH-50x | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 暫無 |
| 512Mbit | x32 | JSD12324PAJ-50x | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 90B (8x13x1.0mm) | 暫無 |
| 512Mbit | x16 | JSDE12164PAH-50x | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 暫無 |
| 512Mbit | x16 | JSD12164PAH-50x | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 暫無 |
| 256Mbit | x32 | JSD56324PAH-50x | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 90B (8x13x1.0mm) | 暫無 |
| 256Mbit | x16 | EMD56164PCH-60x | 1.7~1.95V | mDDR | 166MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 暫無 |
| 256Mbit | x16 | EMD56164PBH-60x | 1.7~1.95V | mDDR | 166MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 暫無 |
| 128Mbit | x16 | EMD28164PCH-60x | 1.7~1.95V | mDDR | 166MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 暫無 |
